涂料黏度高，中车需要空气压力大，喷嘴应选大口径的;涂料黏度低，需要压力小，喷嘴可以选小口径的。

 【小结】总之，福伊风电方法本文综述和讨论了二维单晶受控生长过程中的四个关键因素。此外，特高还可将制备好的二维单晶作为衬底，特高通过层间耦合的方法在其表面再次生长二维单晶，从而构建层数、取向可控的多层二维单晶或垂直异质结构。

因此，小平箱模研究大尺寸二维单晶的生长，具有十分重要的意义。齿轮（f）由单核生长的单晶石墨烯光学照片。因此，块化开现阶段，总结已有的研究成果并且对二维单晶生长作出更加系统、深入地理解，可为今后更多二维单晶的可控生长打下基础。

现阶段，设计二维单晶生长还具有巨大的研究空间和潜力。 图四、应用表面调控（a）Cu（111）上生长取向一致的石墨烯晶畴光学图。

（2）多种优异的性质，中车例如超高的载流子迁移率，界面之间的超快电荷转移等。

然而，福伊风电方法要真正开发二维器件高集度成应用的巨大潜力，必须先突破制备大尺寸二维单晶的技术难关。（3）具有导体、特高半导体、绝缘体、磁体等完备的器件基本组成单元，可以制备逻辑、存储、光电和光子等器件。

小平箱模相关研究成果以DesignedGrowthofLarge-Size2DSingleCrystals为题发表在Adv.Mater.上。图三、齿轮生长促进（a，b）石墨烯边缘Ni原子的STM模拟图像。

（e）MoS2/hBN异质结构的快速傅里叶变换（FFT）衍射点;（f） Cu（102）上生长的取向一致的hBN晶畴，块化开背景颜色为衬底的电子背散射衍射（EBSD）图;（g）Cu（102）上各种hBN晶畴取向的能量计算。设计（c）2H-MoTe2在边界再结晶过程中相选择的示意图。